編號(hào)：NMJS06521
篇名：原位熱硫化法制備Cu3SnS4納米薄膜及其光學(xué)性質(zhì)
作者：崔占奎[1,2] ;周軍強(qiáng)[2] ;白永順[2]
關(guān)鍵詞： 銅錫硫 納米薄膜 化學(xué)水浴法 原位熱硫化 光學(xué)性質(zhì)
機(jī)構(gòu)： [1]許昌學(xué)院表面微納米材料研究所微納米能量?jī)?chǔ)存與轉(zhuǎn)換材料河南省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,許昌461000; [2]許昌學(xué)院新材料與能源學(xué)院,許昌461000
摘要： 采用化學(xué)水浴法（CBD）制備了Cu3Sn納米薄膜,通過(guò)原位熱硫化法制備了Cu3SnS4納米薄膜。分別采用X射線衍射儀（XRD）、掃描電子顯微鏡（SEM）與X射線能譜儀（EDS）分析了樣品的組成、結(jié)構(gòu)與形貌。采用紫外-可見(jiàn)分光光度計(jì)（UV-Vis）測(cè)試了Cu3SnS4樣品的光學(xué)性質(zhì)。結(jié)果表明,樣品物相純凈、形貌均一,Cu3Sn納米薄膜由球形納米顆粒組成,Cu3SnS4納米薄膜由片狀納米顆粒組成,Cu3SnS4薄膜樣品在紫外-可見(jiàn)光區(qū)有良好的吸收性質(zhì),其光學(xué)帶隙為1.70eV,適合作為太陽(yáng)能電池吸收層。
