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        使用金種子層在光纖上生長高質量氧化鋅納米柱

        編號:NMJS06501

        篇名:使用金種子層在光纖上生長高質量氧化鋅納米柱

        作者:張乾坤[1,2] ;劉晶[1,2]

        關鍵詞: 氧化鋅 納米柱 種子層 水熱法 光纖

        機構: [1]精密測試技術及儀器國家重點實驗室(天津大學),天津300072; [2]天津大學精密儀器與光電子工程學院,天津300072

        摘要: 氧化鋅納米柱因其優(yōu)越的電學和光學特性,被廣泛應用在傳感、發(fā)光、能量存儲等領域.高質量氧化鋅納米柱的生長是制備工藝中的關鍵因素.然而傳統(tǒng)方法因工藝過程中涉及高溫等問題而不兼容于光纖折射率傳感器.因此,本文提出一種新的用于在光纖端面生長高質量氧化鋅納米柱的方法.首先在光纖端面蒸鍍一層金膜(約5nm)作為種子層,然后用水熱法生長氧化鋅納米柱.在實驗中,通過調節(jié)生長的時間和溶液的pH值,可以調控氧化鋅納米柱的生長質量.掃描電子顯微鏡照片表明所制備氧化鋅納米柱質量較高.

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