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        不同濃度氮?dú)鈱?duì)于MPCVD法生長納米金剛石薄膜的影響

        編號(hào):NMJS06495

        篇名:不同濃度氮?dú)鈱?duì)于MPCVD法生長納米金剛石薄膜的影響

        作者:王小安[1] ;汪建華[1,2] ;孫祁[1] ;黃平[1]

        關(guān)鍵詞: 微波等離子體 化學(xué)氣相沉積 納米金剛石 氮?dú)?/p>

        機(jī)構(gòu): [1]武漢工程大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院湖北省等離子體化學(xué)與新材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,湖北武漢430074; [2]中國科學(xué)院等離子體物理研究所,安徽合肥230031

        摘要: 采用微波等離子體化學(xué)氣相沉積法,以N2/H2/CH4為氣源,通過改變反應(yīng)氣氛中的Nz濃度(10%~30%)制備了金剛石薄膜。采用掃描電子顯微鏡、拉曼光譜儀、x射線衍射儀等設(shè)備對(duì)金剛石薄膜的表面形貌、晶粒尺寸以及薄膜質(zhì)量進(jìn)行了分析,研究了不同濃度氮?dú)鈱?duì)于沉積金剛石薄膜的影響,結(jié)果表明:當(dāng)?shù)獨(dú)鉂舛鹊陀?0%時(shí),沉積的金剛石薄膜晶粒尺寸變化不明顯,表面平整度較好,氮?dú)鉂舛冗_(dá)到30%時(shí),金剛石晶粒增大,缺陷增加;隨著氮?dú)鉂舛仍黾,薄膜中金剛石相含量下降,同時(shí),金剛石趨向于(111)面優(yōu)先生長。

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