編號(hào)：NMJS06478
篇名：氣相沉積法一步可控合成氧化銅納米陣列
作者：姚允賀 ;丁蕊 ;張晶
關(guān)鍵詞： 氧化銅納米線陣列 氣相沉積 可控合成
機(jī)構(gòu)： 哈爾濱師范大學(xué)
摘要： 利用氣相沉積的方法于銅基片表面可控生長(zhǎng)形成氧化銅納米陣列,通過(guò)控制反應(yīng)溫度及反應(yīng)時(shí)間,得出不同生長(zhǎng)密度、不同長(zhǎng)度及不同直徑的氧化銅納米陣列,研究了該種方法所依據(jù)的實(shí)驗(yàn)條件對(duì)生長(zhǎng)形成氧化銅納米陣列的生長(zhǎng)密度、平均長(zhǎng)度以及平均直徑的制約關(guān)系.結(jié)果表明：溫度越高,則氧化銅納米陣列生長(zhǎng)越密且平均直徑越小;反應(yīng)時(shí)間越長(zhǎng),則氧化銅納米陣列平均長(zhǎng)度越大.在此基礎(chǔ)上分析了該納米陣列的生長(zhǎng)機(jī)制,并最終確立實(shí)現(xiàn)不同規(guī)格銅基氧化銅納米陣列可控合成的依據(jù).作為對(duì)比,該氧化銅納米陣列進(jìn)行硫化處理后所形成的特殊云杉式分級(jí)結(jié)構(gòu)相比于硫化銅片直接在銅的表面所生長(zhǎng)形成的硫化亞銅陣列更有利于與電解液的接觸,為其在電化學(xué)上的應(yīng)用創(chuàng)造了可能.
