編號：CPJS05493
篇名：MnO2/H-TiO2納米異質(zhì)陣列的調(diào)控制備及超電容特性
作者：徐娟[1,3] ;劉家琴[2,3] ;李靖巍[2] ;王巖[3,4] ;呂珺[3,4] ;吳玉程[3,4]
關鍵詞： TIO2納米管陣列 氫化 MNO2 電化學 超電容特性
機構： [1]合肥工業(yè)大學化學與化工學院,合肥230009; [2]合肥工業(yè)大學工業(yè)與裝備技術研究院,合肥230009; [3]先進功能材料與器件安徽省重點實驗室,合肥230009; [4]合肥工業(yè)大學材料科
摘要： 采用目標調(diào)控的陽極氧化工藝制備了超大比表面、管與管相互分離的有序TiO2納米管陣列（TiO2 NTAs）基體,進而分別采用電化學氫化法和循環(huán)浸漬沉積法對晶化退火后的TiO2 NTAs實施電化學氫化和高比電容MnO2沉積的雙重功能化改性,調(diào)控構筑了一種新型MnO2/H-TiO2納米異質(zhì)陣列電極材料。利用場發(fā)射掃描電子顯微鏡（FESEM）、高分辨透射電子顯微鏡（TRTEM）、X射線衍射儀（XRD）、X光電子能譜儀（XPS）、拉曼光譜（Raman）和電化學工作站等對樣品進行綜合表征與超電容特性測試,結(jié)果表明：電化學氫化改性有效提高了H-TiO2 NTAs的導電性和電化學特性,當電流密度為0.2mA·cm^-2時H-TiO2 NTAs的面積電容達到7.5mF·cm^-2,是相同電流密度下TiO2 NTAs的75倍;經(jīng)過2個浸漬循環(huán)所獲得的MnO2/H-TiO2 NTAs-2樣品在電流密度為3mA·mg^-2時比電容可達481.26F·g^-1,電流密度為5mA·mg^-2時循環(huán)充放電1000圈后比電容僅下降約11%。
