編號：CPJS05472
篇名：氫化碳化硅（SixC（1-x）：H）薄膜發(fā)光特性和納米線發(fā)光增強研究
作者：程英 ;余忠衛(wèi) ;魏曉旭 ;楊華峰 ;郭丹 ;王軍轉(zhuǎn) ;余林蔚 ;施毅
關鍵詞： 氫化碳化硅薄膜 光致發(fā)光 納米線
機構： 南京大學電子科學與工程學院、光電子材料重點實驗室,南京210093
摘要： 氫化碳化硅薄膜作為一種寬帶隙的半導體材料,具有優(yōu)越的物理特性,其在光電子器件上的潛在應用引起了人們的興趣。利用等離子增強化學氣相沉積（PECVD）系統(tǒng)制備了一系列氫化碳化硅薄膜,通過改變反應前驅(qū)物及流量比調(diào)節(jié)薄膜的室溫光致發(fā)光性質(zhì)。實驗發(fā)現(xiàn)在一定范圍內(nèi)隨著流量比R（CH4/SiH4）的提高,氫化碳化硅薄膜的光致發(fā)光峰位藍移且發(fā)光強度增強;同時反應前驅(qū)物中的氫會極大影響氫化碳化硅薄膜的發(fā)光強度。通過橢偏儀（Ellipsometer）測量了薄膜的光學常數(shù),發(fā)現(xiàn)薄膜沉積速率隨著流量比R的增加而降低;傅里葉紅外光譜儀（FTIR）測試表明Si-C有序度隨著流量比的增加而增大。同時研究了三維納米線結構對多態(tài)碳化硅薄膜發(fā)光性質(zhì)的影響。光致發(fā)光測試結果表明三維納米線結構可以有效提高薄膜的光致發(fā)光強度。
