編號(hào)：CPJS05446
篇名：CdSe/CdS納米顆粒共敏化ZnO光電極的制備及光電化學(xué)性能研究
作者：毛永強(qiáng)[1,2] ;王繼仁[2] ;李娜[1]
關(guān)鍵詞： ZNO納米線陣列 電沉積法 CdS/CdSe納米顆粒共敏化 光電化學(xué)性能
機(jī)構(gòu)： [1]遼寧工程技術(shù)大學(xué)理學(xué)院,阜新123000; [2]礦山熱動(dòng)力災(zāi)害與防治教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,遼寧工程技術(shù)大學(xué)安全科學(xué)與工程學(xué)院,阜新123000
摘要： 采用電沉積法將CdS和CdSe納米顆粒沉積在ZnO納米線陣列上得到CdSe/CdS納米顆粒共敏化ZnO光電極。利用X射線衍射、掃描電鏡、透射電鏡和能譜儀等對(duì)所得樣品結(jié)構(gòu)和形貌進(jìn)行表征,并通過紫外-可見分光光度計(jì)和電化學(xué)工作站測(cè)試其光吸收性能和光電化學(xué)性能。結(jié)果發(fā)現(xiàn),相對(duì)納米顆粒單敏化CdS/ZnO光電極而言,納米顆粒共敏化CdSe/CdS/ZnO光電極具有更好的可見光吸收性能,進(jìn)而提高短路電流密度和光電轉(zhuǎn)換效率分別到9.56mA/cm^2和1.89%。
