編號：NMJS06293
篇名：L-半胱氨酸法制備銀納米線材料及其電化學性能
作者：苗智穎[1] ;秦霞[2] ;邵學廣[1] ;陳強[3]
關(guān)鍵詞： 銀納米線 L-半胱氨酸 電化學性能 無酶傳感器
機構(gòu)： [1]南開大學藥物化學生物學國家重點實驗室,天津300071; [2]曲阜師范大學地理與旅游學院,日照276826; [3]南開大學生物活性材料教育部重點實驗室,天津300071
摘要： 為了加快銀納米線材料的合成速度，在制備過程中利用L-半胱氨酸作為反應(yīng)過程中形成Ag2S膠體的硫源，將合成銀納米線的前驅(qū)體硝酸銀的濃度提高到了1mol／L，利用掃描電子顯微鏡、透射電子顯微鏡和X射線衍射儀對制備的銀納米線材料進行了表征，利用循環(huán)伏安法和電化學阻抗法對銀納米線修飾的鉑電極電化學性能進行了研究．結(jié)果表明：L-半胱氨酸的引入可以明顯降低體系中硝酸的濃度，提高銀納米線的產(chǎn)量，使得銀納米線的合成時間降低到20min；電化學實驗結(jié)果表明：制備的銀納米線材料具備良好的電子傳遞能力、較大的比表面積和較強的電化學性能，利用這些特點有望改善無酶傳感器的性能．
