編號(hào)：CPJS05429
篇名：二氧化釩納米周期點(diǎn)陣的光學(xué)特性
作者：唐佳茵[1] ;李毅[1,2] ;孫瑤[1] ;劉飛[1] ;郝如龍[1] ;伍征義[1] ;蔣蔚[1] ;徐婷婷[1] ;陳培祖[1] ;方寶英[1] ;王曉華[1,3] ;肖寒[1]
關(guān)鍵詞： VO2 納米周期點(diǎn)陣 光學(xué)特性 熱致相變
機(jī)構(gòu)： [1]上海理工大學(xué)光電信息與計(jì)算機(jī)工程學(xué)院,上海200093; [2]上海市現(xiàn)代光學(xué)系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,上海200093; [3]上海電力學(xué)院計(jì)算機(jī)與信息工程學(xué)院,上海200090
摘要： 為了得到相變溫度低且性能優(yōu)越的智能窗光學(xué)材料,基于時(shí)域有限差分法模擬計(jì)算了不同結(jié)構(gòu)的VO_2納米周期點(diǎn)陣相變前后的光學(xué)特性,優(yōu)選出最佳的VO_2納米周期點(diǎn)陣結(jié)構(gòu).采用直流磁控濺射和后退火工藝在玻璃襯底上制備VO_2薄膜,再利用掩膜光刻的方法制備VO_2納米周期點(diǎn)陣結(jié)構(gòu),測(cè)試其組分結(jié)構(gòu),反射和透過(guò)率曲線(xiàn).結(jié)果表明,填充比為0.74的圓形納米周期點(diǎn)陣的相變溫度有效降低了約25℃,在波長(zhǎng)為1700 nm處的透過(guò)率改變量達(dá)到39%,透過(guò)率整體高于VO_2薄膜,呈現(xiàn)出良好的相變光學(xué)特性,說(shuō)明通過(guò)調(diào)控VO_2納米周期點(diǎn)陣的結(jié)構(gòu)可以有效提升材料的光學(xué)特性.
