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        基于宏觀金屬輔助化學(xué)刻蝕制備硅納米線的研究(英文)

        編號:NMJS06227

        篇名:基于宏觀金屬輔助化學(xué)刻蝕制備硅納米線的研究(英文)

        作者:劉琳[1,2] ;李志勝[1] ;胡慧東[1] ;宋維力[3]

        關(guān)鍵詞:半導(dǎo)體 微結(jié)構(gòu) 電化學(xué) 硅納米線 金屬刻蝕

        機(jī)構(gòu): [1]華北電力大學(xué)可再生能源學(xué)院新能源電力系統(tǒng)國家重點實驗室,北京102206; [2]北京師范大學(xué)能量轉(zhuǎn)換與存儲材料北京市重點實驗室,北京100875; [3]北京科技大學(xué)新材料技術(shù)研究院,北京10

        摘要: 分別利用鍍銀的硅襯底和鉑絲電極作為原電池反應(yīng)中的陰極和陽極,基于金屬輔助化學(xué)刻蝕采用宏觀原電池的方法制備硅納米線,深入研究了該法制備硅納米線陣列的機(jī)理。通過改變電連接、鍍銀、刻蝕參數(shù)、硅襯底和光照等實驗條件,系統(tǒng)地研究了所得硅納米線形貌與其對應(yīng)短路電流的關(guān)系,實驗發(fā)現(xiàn)短路電流與硅納米線長度有一定的對應(yīng)關(guān)系。文章中所提出的模型旨在從根本上解決金屬輔助化學(xué)刻蝕制備硅納米線的機(jī)理。最后對這種方法所具有的潛在應(yīng)用價值進(jìn)行了展望和討論。

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