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        TiO_2一維納米陣列電極表面氧氣泡發(fā)展規(guī)律研究

        編號:CPJS05305

        篇名:TiO_2一維納米陣列電極表面氧氣泡發(fā)展規(guī)律研究

        作者:曹振山 ;胡曉瑋 ;郭烈錦 ;王曄春

        關(guān)鍵詞:納米陣列 光電極 氧氣泡 生長時間 脫離直徑

        機構(gòu): 西安交通大學(xué)動力工程多相流國家重點實驗室,西安710049

        摘要: 光電化學(xué)分解水反應(yīng)驅(qū)動的氧氣泡生長,是發(fā)生在固液表面典型的物理化學(xué)過程。本文通過搭建的光電化學(xué)分解水反應(yīng)體系,利用顯微拍攝系統(tǒng),探究了氧氣泡在光電極表面的發(fā)展規(guī)律,結(jié)果表明氣泡大小與生長時間遵循關(guān)系;并通過改變反應(yīng)溶液的濃度和激發(fā)光源的光照強度,總結(jié)了溶液濃度和光照強度對氣泡的生長時間與脫離直徑的影響規(guī)律。

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