編號(hào)：NMJS06157
篇名：銀納米線的側(cè)向生長(zhǎng)及其抑制研究
作者：彭勇宜[1] ;徐國(guó)鈞[1] ;周劍飛[2] ;代國(guó)章[1] ;王云[1] ;李宏建[1]
關(guān)鍵詞：多元醇法 銀納米線 側(cè)向生長(zhǎng) 抑制
機(jī)構(gòu)： [1]中南大學(xué)物理與電子學(xué)院,湖南長(zhǎng)沙410083; [2]新鼎盛電子科技有限公司,湖南城步422500
摘要： 采用多元醇法,在不同溫度,不同PVP滴加速度和加入量的條件下合成了銀納米線。利用XRD,UV-Vis,SEM和TEM對(duì)銀納米線及其側(cè)向生長(zhǎng)過(guò)程進(jìn)行了觀察和分析。UV-Vis表明銀納米線在縱向生長(zhǎng)的同時(shí)發(fā)生了側(cè)向生長(zhǎng)。而且表示銀納米線側(cè)向生長(zhǎng)的紫外吸收光譜峰在銀納米線合成后期發(fā)生了明顯的紅移,由384nm紅移至約388nm處,表明銀納米線合成后期直徑迅速增長(zhǎng),銀納米線發(fā)生了快速的側(cè)向生長(zhǎng)。SEM研究表明銀納米線直徑在反應(yīng)前期（15～23min）只增加了20nm,而在反應(yīng)后期（23～30min）銀納米線直徑增加了近150nm,SEM觀察結(jié)果與UV-Vis分析結(jié)論一致。同時(shí)還發(fā)現(xiàn)銀納米線直徑不僅與晶種大小有關(guān)而且與銀線外覆蓋的銀層厚度有關(guān),銀源以吸附在銀線側(cè)面的小銀顆粒為附著點(diǎn)沿其側(cè)面多點(diǎn)沉積導(dǎo)致了銀納米線的側(cè)向生長(zhǎng);降低反應(yīng)液溫度（165℃降至155℃）,降低PVP滴加速度（67mL·h^-1減小到49mL·h^-1）以及減少銀納米線合成后期PVP加入量可抑制銀納米線的側(cè)向生長(zhǎng),顯著提高銀納米線長(zhǎng)徑比,銀納米線直徑由200nm減小至100nm左右,長(zhǎng)度仍保持在100μm以上。
