編號：NMJS06085
篇名：半導體型單壁碳納米管中激子的一維擴散模型
作者：鄭岳新 ;方嬌嬌 ;楊珺琪 ;章益雄 ;章盛林 ;謝建平
關鍵詞：碳納米管 激子擴散 光致發(fā)光 擴散長度
機構(gòu)： 湖州師范學院理學院,浙江湖州313000
摘要： 針對架橋生長的半導體型單壁碳納米管中激子的擴散特性,建立激子的一維擴散模型,進而考察研究碳納米管中激子的擴散及復合發(fā)光過程.通過求解激子的一維擴散方程,模擬在有限長度下的碳管中激子密度、發(fā)光強度隨管長和激子擴散長度之間的變化關系.研究結(jié)果表明,激子的擴散長度對激子發(fā)光強度有著重要影響,較大的激子擴散長度容易導致激子的邊界淬滅,降低發(fā)光強度和發(fā)光效率.研究結(jié)果不但有助于碳納米管中激子的擴散長度的測量,而且有助于未來對基于碳管的單激子器件尺寸的設計研究.
