編號：NMJS06054
篇名：CdSe納米顆粒敏化的TiO_2納米棒陣列的制備及其光電和光催化性能
作者：譚幗英[1] ;黃盼[2] ;弓程[2] ;孫嵐[2] ;林昌健[2]
關鍵詞：TiO2納米棒陣列 CdSe納米顆粒 光電性能 光催化
機構： [1]肇慶華鋒電子鋁箔股份有限公司,廣東省高端電子鋁箔工程技術研究開發(fā)中心,廣東肇慶526060; [2]廈門大學化學化工學院,福建廈門361005
摘要： CdSe是一種具有可見光響應的半導體材料,利用CdSe對TiO_2進行敏化有望使復合材料具有可見光吸收,有效促進光生電荷的分離.采用水熱法在摻雜F的SnO2（FTO）導電玻璃表面制備金紅石TiO_2納米棒陣列,再采用連續(xù)離子層吸附反應法在TiO_2納米棒陣列表面復合CdSe納米顆粒,制得CdSe納米顆粒敏化的TiO_2納米棒陣列,并對其進行了表征.實驗結果表明,CdSe納米顆粒敏化的TiO_2納米棒陣列在可見光區(qū)有較強的光吸收,其光電流密度是TiO_2納米棒陣列的10倍,對亞甲基藍的可見光催化降解速率較亞甲基藍的自降解和TiO_2納米棒陣列分別提高了85%和75%.
