編號：CPJS05013
篇名：Poly（St-co-DMC）/SiO2雜化及空心雜化納米粒子的合成及表征
作者：柴仕淦 ;袁建軍 ;鄒其超 ;張金枝
關鍵詞：poly(St-co-DMC)/SiO2 雜化 納米粒子 TMOS 沉積
機構(gòu)： 有機化工新材料湖北協(xié)同創(chuàng)新中心 湖北大學化學化工學院有機功能高分子的合成和應用教育部重點實驗室,武漢430062
摘要： 采用無皂乳液聚合法合成了聚（苯乙烯-co-甲基丙烯酰氧乙基三甲基氯化銨）（poly（St-co-DMC））納米粒子,平均粒徑約為100 nm.以此納米粒子為模板,在接近室溫及p H為中性的溫和條件下,以四甲氧基硅烷（TMOS）為硅源,合成了poly（St-co-DMC）/Si O2雜化納米粒子,TEM結(jié)果顯示該納米粒子具有明顯的核殼結(jié)構(gòu),Si O2主要沉積在殼層.進一步通過四氫呋喃溶解制備得到具有空心結(jié)構(gòu)的納米粒子,這種空心結(jié)構(gòu)納米粒子的FTIR圖譜中既有Si O2的信號,也有poly（St-co-DMC）的信號,說明空心納米粒子的殼層不完全是Si O2,對空心納米粒子的TGA結(jié)果分析計算得到Si O2的含量僅為69.7%,說明納米粒子的殼層為雜化殼層,并且,這種殼層的厚度隨著反應溫度的升高、反應時間的延長、TMOS用量的增加及聚合物模板中DMC含量的增加而增大.
