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        直流電沉積法制備納米晶體鎳鍍層及其熱穩(wěn)定性研究

        編號(hào):NMJS05939

        篇名:直流電沉積法制備納米晶體鎳鍍層及其熱穩(wěn)定性研究

        作者:董楠 ;張彩麗 ;李娟 ;韓培德

        關(guān)鍵詞:納米晶體鎳 電沉積 顯微硬度 熱穩(wěn)定性

        機(jī)構(gòu): 太原理工大學(xué)新材料界面科學(xué)與工程教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,山西太原030024

        摘要: 利用直流電沉積技術(shù)系統(tǒng)分析電流密度和鍍液糖精濃度對(duì)納米晶體鎳性能的影響。結(jié)果表明,電流密度在0.5-1.5 A/dm^2時(shí),可調(diào)節(jié)糖精濃度制備出顯微硬度HV分布為415-603 MPa的納米晶鍍層。小電流密度0.5 A/dm^2時(shí),隨糖精濃度增大,鍍層(200)面衍射強(qiáng)度增強(qiáng),結(jié)構(gòu)由(111),(200)雙織構(gòu)向(200)面轉(zhuǎn)變,且鍍層內(nèi)應(yīng)力降低,糖精濃度增大到1.2 g/L時(shí),內(nèi)應(yīng)力降為0。鍍層晶粒尺寸為28-98 nm時(shí),直到600℃晶粒才開(kāi)始長(zhǎng)大,結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性較好;晶粒尺寸為10 nm時(shí),晶粒在317℃異常長(zhǎng)大,其結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性顯著下降。

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