編號：CPJS04825
篇名：納米硒的制備及其光電性能
作者：王偉[1] ;黎燕[1] ;王蘇寧[1] ;鐘福新[1] ;朱義年[2] ;莫德清[3]
關鍵詞：納米硒 光電壓 電沉積
機構： [1]桂林理工大學化學與生物學院,廣西桂林541004; [2]桂林理工大學環(huán)境科學與工程學院,廣西桂林541004; [3]桂林電子科技大學生命與環(huán)境科學學院,廣西桂林541004
摘要： 以導電玻璃（ITO）為基底,采用電沉積法制備納米硒。在單一變量的基礎上結合正交試驗和響應面試驗,探討了制備條件對納米硒光電壓的影響。結果表明：在沉積電壓1.7 V、沉積溫度30℃、沉積時間7 min、硫脲用量為1 mmol時,納米硒的光電壓值最高,達0.868 4 V;由紫外-可見吸收光譜測得其禁帶寬度Eg=1.84 e V;SEM分析發(fā)現(xiàn),納米硒呈棒狀及蓮花狀結構,棒直徑約為100 nm,長度為3-6μm;XRD表征結果顯示,納米硒主要為3種晶系的混晶系納米晶體,在2θ為37.188°、45.246°、60.324°處分別出現(xiàn)斜方晶系納米硒的（120）、（200）和（211）晶面,在2θ為30.141°、50.701°處分別出現(xiàn)六方晶系納米硒的〈101〉、{11-1}晶面,在2θ為35.522°處出現(xiàn)單斜晶系納米硒的[120]晶面,其中以〈101〉晶面和[120]晶面為擇優(yōu)生長取向。
