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        納米金顆粒修飾的摻硼金剛石薄膜電極對三價(jià)砷離子的定量檢測

        編號:NMJS05891

        篇名:納米金顆粒修飾的摻硼金剛石薄膜電極對三價(jià)砷離子的定量檢測

        作者:崔凱[1] ;宋紅攀[1] ;汪家道[2]

        關(guān)鍵詞:納米金顆粒 摻硼金剛石薄膜電極 三價(jià)砷離子

        機(jī)構(gòu): [1]中國核電工程有限公司,北京100840; [2]清華大學(xué)摩擦學(xué)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京100084

        摘要: 采用靜電力誘導(dǎo)自組裝的方法將納米金顆粒自組裝到摻硼金剛石薄膜(BDD)電極表面,采用掃描電子顯微鏡和X射線光電能譜儀對其表面進(jìn)行表征。對自組裝在BDD電極表面的納米金顆粒進(jìn)行種子生長,并用于檢測BDD電極之前無法檢測的As^3+。采用溶出伏安法分別研究了富集時(shí)間、富集電位以及電解質(zhì)溶液對As^3+檢測的影響,選擇出合適的檢測參數(shù)完成對As^3+的定量檢測。在鹽酸為電解質(zhì)的條件下,As^3+的濃度在小于3×10^-6g/L時(shí),As^3+的濃度與氧化峰電流表現(xiàn)出良好的線性關(guān)系,且最低檢測限為0.3×10^-6g/L。

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