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        CdS/TiO_2納米管陣列的制備及光催化性能

        編號:CPJS04768

        篇名:CdS/TiO_2納米管陣列的制備及光催化性能

        作者:杜晶晶[1] ;趙軍偉[2] ;程曉民[2] ;王可勝[1]

        關(guān)鍵詞:CdS/TiO2納米管陣列 化學(xué)水浴沉積 光催化 氣相苯

        機構(gòu): [1]寧波工程學(xué)院機械工程學(xué)院,寧波315016; [2]寧波工程學(xué)院材料學(xué)院,寧波315016

        摘要: 采用陽極氧化法在純鈦箔上制備出TiO2納米管陣列,再通過化學(xué)水浴沉積法在TiO2納米管陣列上負載Cd S納米顆粒。利用XRD、FESEM和UV-Vis分光光度計對樣品的晶體結(jié)構(gòu)、微觀形貌和光學(xué)性質(zhì)進行表征,并研究了不同含量Cd S負載的復(fù)合薄膜對光催化降解氣相苯性能的影響。結(jié)果表明,Cd S納米顆粒均勻沉積到TiO2納米管陣列上,所制備的復(fù)合薄膜光吸收帶邊均擴展到了可見光區(qū)。Cd S的修飾大幅度提高了TiO2納米管陣列對氣相苯的光催化降解活性,其中負載Cd S質(zhì)量分數(shù)為3%的TiO2納米管陣列光催化活性最佳,80 min內(nèi)對氣相苯的去除率為80%,終產(chǎn)物CO2的濃度為640 mg/m3。

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