編號(hào)：CPJS04758
篇名：占空比可調(diào)的氮化鎵納米圓臺(tái)陣列的制備及其光致發(fā)光效率的研究
作者：陳湛旭[1] ;萬(wàn)巍[1] ;陳耿炎[2] ;何影記[1] ;陳泳竹[2]
關(guān)鍵詞：光學(xué)設(shè)計(jì) 發(fā)光二極管 納米圖形化 納米球刻蝕 光致發(fā)光
機(jī)構(gòu)： [1]廣東技術(shù)師范學(xué)院電子與信息學(xué)院,廣東廣州510665; [2]廣東技術(shù)師范學(xué)院機(jī)電學(xué)院,廣東廣州510665
摘要： 實(shí)驗(yàn)中在p-GaN層制備單層密排的聚苯乙烯（Ps）納米球作為掩模，通過(guò)改變納米球掩膜的直徑，制作了周期性的占空比不同的GaN納米圓臺(tái)陣列結(jié)構(gòu)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在歸一化激發(fā)光功率后，p-GaN層制備納米圓臺(tái)陣列的LED出光效率最高增加到參考樣品的3．8倍。三維時(shí)域有限差分方法計(jì)算表明，周期性納米結(jié)構(gòu)破壞了p-GaN表面的全反射，增大了LED結(jié)構(gòu)的光輸出臨界角，從而提高LED的光致發(fā)光效率。此外，利用可變的納米球掩模刻蝕技術(shù)，可以在同一個(gè)周期下優(yōu)化納米圓臺(tái)的尺寸從而進(jìn)一步提高LED的出光效率，這可以用等效折射率與薄膜透射率理論來(lái)解釋?zhuān)?jì)算結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)果比較一致。
