編號(hào)：CPJS04677
篇名：鑲嵌有納米硅的SiNx薄膜光致發(fā)光的溫度依賴特性研究
作者：劉建蘋 ;鄭燕 ;劉海旭 ;于威 ;丁文革 ;賴偉東
關(guān)鍵詞：納米硅/氮化硅 光致發(fā)光 溫度依賴特性
機(jī)構(gòu)： 河北大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院、河北省光電信息材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,河北保定071002
摘要： 采用對(duì)靶磁控濺射法在單晶硅襯底上沉積鑲嵌有納米硅的氮化硅薄膜,然后在形成氣體FG（10%H2,90%N2）氣氛中進(jìn)行450℃常規(guī)熱退火50min。通過熒光光譜儀測(cè)得的穩(wěn)態(tài)/瞬態(tài)光致發(fā)光（PL）譜研究了鑲嵌有納米硅的氮化硅（SiNx）薄膜樣品光致發(fā)光特性。結(jié)果表明,樣品的發(fā)光過程可以歸因于納米硅的量子限制效應(yīng)發(fā)光和與缺陷相關(guān)的發(fā)光。隨著激發(fā)光能量的增加,PL譜峰位發(fā)生藍(lán)移,表明較小粒度的納米硅發(fā)光比例增加;溫度的降低會(huì)抑制非輻射復(fù)合過程,提高輻射復(fù)合幾率,因此發(fā)光壽命延長(zhǎng),發(fā)光強(qiáng)度呈指數(shù)增加;隨著探測(cè)波長(zhǎng)的減小,樣品的發(fā)光壽命則明顯縮短,表明納米硅的量子限制效應(yīng)發(fā)光對(duì)溫度有很強(qiáng)的依賴性。
