編號：CPJS04580
篇名：超細Si/SiOx納米線和納米花等離子體輔助生長及光致發(fā)光
作者：王秋實 ;馮雅輝 ;謝永輝 ;鐘敏 ;張麗娜
關鍵詞：Si/SiOx納米線 弧光放電 光致發(fā)光
機構： 渤海大學新能源學院,錦州121013
摘要： 采用等離子體輔助直流弧光放電技術,以Si粉和SiO2粉為反應原料,制備了不同形貌的超細Si/SiOx納米線和納米花。通過X射線衍射（XRD）、透射電子顯微鏡（TEM）、能量色散X射線光譜（EDS）對Si/SiOx納米線的形貌和組分進行表征與分析。Si/SiOx納米線紫外可見吸收光譜證實了樣品的光學帶隙為4.58 e V。Si/SiOx納米線光致發(fā)光光譜（PL）表明其在305 nm、495 nm處有較強的發(fā)光峰,具有良好的發(fā)光性能。
