編號：CPJS04392
篇名：低發(fā)射率SiO2/Al2 O3納米復合粉體的制備和紅外隱身性能
作者：陳珂 ;紀箴 ;張一帆 ;賈成廠 ;楊善武
關鍵詞：二氧化硅 氧化鋁 納米復合材料 粉體 隱身技術 發(fā)射率
機構： 北京科技大學材料科學與工程學院,北京100083
摘要： 采用溶膠-凝膠法制備非晶態(tài)和結晶態(tài)兩種相結構的SiO2/Al2 O3納米復合粉體,通過X射線衍射、透射電子顯微鏡等手段對納米復合粉體結構和形貌進行表征,并利用傅里葉變換紅外光譜儀研究納米復合粉體的紅外隱身性能.結果表明：兩種相結構的SiO2/Al2 O3納米復合粉體均呈不規(guī)則顆粒狀,其中結晶態(tài)SiO2/Al2 O3納米復合粉體的平均晶粒尺寸約為18 nm；結晶態(tài)SiO2/Al2 O3納米復合粉體在2.5~25μm波長范圍內的紅外發(fā)射率均低于非晶態(tài)復合粉體,3~5μm內發(fā)射率平均值為45.65%,8~14μm內發(fā)射率平均值為46.19%,是一種低發(fā)射率的紅外隱身復合納米材料.
