單分散球形SiO_2粉體的制備及生長機理

編號：FTJS00596

篇名：單分散球形SiO_2粉體的制備及生長機理

作者：申曉毅; 翟玉春;

關(guān)鍵詞：單分散球形SiO顆粒; 非晶態(tài); 晶形轉(zhuǎn)變; 生長機理;

機構(gòu)： 東北大學(xué)材料與冶金學(xué)院;

摘要： 以正硅酸乙酯為原料,在超聲波作用下采用醇鹽水解法制備了超微SiO2粉體,并采用XRD、SEM、FT-IR和DTA研究了SiO2樣品的物相、微觀形貌、基團結(jié)構(gòu)和熱穩(wěn)定性。結(jié)果表明,超微SiO2粉體為規(guī)則的單分散球形非晶態(tài)顆粒、粒度均勻、粒徑范圍窄。樣品中含有大量羥基,可加熱脫除。SiO2粉體在1150℃發(fā)生晶形轉(zhuǎn)變,1200℃轉(zhuǎn)變完成,生成方石英晶相。通過在制備過程不同階段取樣測試,分析了球形SiO2顆粒的生長機理。