編號：FTJS06208
篇名：水熱體系中不同的前驅(qū)物對羥基磷灰石微結(jié)構(gòu)的影響
作者：仇滿德； 代愛梅； 楊盼； 李旭； 牛苗； 白國義；
關鍵詞：不同前驅(qū)物 羥基磷灰石 晶體微結(jié)構(gòu) 水熱法 生長機理
機構(gòu)： 河北大學化學與環(huán)境科學學院； 河北大學藥物化學與分子診斷教育部重點實驗室；
摘要： 納米羥基磷灰石由于具有良好的生物相容性和生物活性而應用廣泛,形貌控制對其應用至關重要。本文以磷酸為磷源前驅(qū)物,利用XRD、SEM及EDS系統(tǒng)比較研究了水熱體系中不同鈣源前驅(qū)物對合成羥基磷灰石(HAP)晶體微結(jié)構(gòu)及晶體生長的影響,同時利用配位體理論對其生長機理進行了初步探討。研究結(jié)果表明,不同鈣源前驅(qū)物在pH值=10,水熱溫度200℃、水熱時間8h的條件下,均可以合成結(jié)晶度較好的納米羥基磷灰石晶體,不同鈣源前驅(qū)物對合成HAP產(chǎn)物的物相、分散性、結(jié)晶性及微結(jié)構(gòu)有一定的影響,碳酸鈣、氫氧化鈣為鈣源前驅(qū)物制備的HAP為類球狀的納米HAP,氯化鈣、硝酸鈣為鈣源前驅(qū)物制備的HAP呈短棒狀,但與以硝酸鈣為鈣源前驅(qū)物制備的HAP晶體的結(jié)晶度、規(guī)整度、均一性及晶體極性生長特性相比,氯化鈣較差。EDS分析證實,不同的前驅(qū)物合成產(chǎn)物的HAP晶體不含有任何雜質(zhì),但HAP晶體的鈣磷比略有差別,平均鈣磷比約為1.75,合成的HAP屬于富鈣型的納米羥基磷灰石。
