編號：CPJS04129
篇名：白光LED用Sr0.955Al2Si2-xTixO8∶Eu^2＋熒光粉的晶體結(jié)構(gòu)和光譜特性
作者：王飛[1] ;田一光[2] ;張喬[2]
關(guān)鍵詞：熒光粉 鈦置換 晶體結(jié)構(gòu) 光譜特性 SrAl2Si2O8 EU^2+
機(jī)構(gòu)： [1]安徽三聯(lián)學(xué)院實(shí)驗(yàn)中心,合肥230601; [2]溫州大學(xué)化學(xué)與材料工程學(xué)院,溫州325035
摘要： 由高溫固相反應(yīng)制得Sr0.955Al2Si2-xTixO8∶Eu^2＋（x=0~1.0）系列試樣,研究了Ti^4＋置換Si^4＋對其晶體結(jié)構(gòu)和光譜特性的影響。Ti^4＋以類質(zhì)同相替代Si^4＋進(jìn)入基質(zhì)晶格中,形成了連續(xù)固溶體,其晶胞參數(shù)a,b,c,β和晶胞體積V隨Ti^4＋置換量呈線性遞增。Ti^4＋置換Si^4＋對晶胞參數(shù)c的影響顯著,b其次,a最小。熒光激發(fā)譜為寬帶,位于230~400nm,由267nm、305nm、350nm和375nm4個(gè)峰擬合成,表觀峰值位于351nm;隨著Ti^4＋置換量的增加,半高寬（FWHM）從105nm減小到93nm。發(fā)射光譜位于380~600nm,表觀峰值位于407nm,可由406nm和441nm兩峰擬合而成并且隨Ti^4＋置換量增加線性紅移,Ti^4＋進(jìn)入晶格對長波長發(fā)射中心影響較少;Ti^4＋置換量為1.0時(shí),表觀發(fā)射峰位從407nm紅移至417nm;利用試樣熒光光譜和VanUitert經(jīng)驗(yàn)公式,得出SrAl2Si2O8∶Eu^2＋中Sr2＋的配位數(shù)為9。隨著Ti^4＋置換量Si^4＋進(jìn)入基質(zhì)晶格,造成Eu-O距離變小,使得Eu^2＋所處的晶體場強(qiáng)度增強(qiáng),發(fā)光中心Eu^2＋的5d能級分裂增大,造成Eu^2＋最低發(fā)射能級重心下移,兩擬合譜峰峰位均呈線性紅移。
