Al摻雜對(duì)SiC粉體微波介電性能的影響

編號(hào)：FTJS00537

篇名：Al摻雜對(duì)SiC粉體微波介電性能的影響

作者：李智敏; 周萬(wàn)城; 蘇曉磊; 羅發(fā); 黃云霞;

關(guān)鍵詞：SiC粉體; Al摻雜; 固相反應(yīng); 介電性能;

機(jī)構(gòu)： 西安電子科技大學(xué)技術(shù)物理學(xué)院; 西北工業(yè)大學(xué)凝固技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 西安工程大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院;

摘要： 采用高溫固相反應(yīng)法,以Al粉和SiC粉為原料合成Al摻雜SiC粉體。通過(guò)X射線衍射分析和拉曼光譜對(duì)合成粉體進(jìn)行了表征。結(jié)果表明,當(dāng)反應(yīng)溫度高于1900℃時(shí),合成產(chǎn)物中未出現(xiàn)Al的雜質(zhì)相。在2000℃時(shí),相對(duì)較多的Al原子進(jìn)入到SiC晶格形成Al-SiC固溶體。在8.2～12.4GHz頻率范圍,采用波導(dǎo)法對(duì)未摻雜和摻雜SiC粉體的介電常數(shù)進(jìn)行了測(cè)試。結(jié)果表明,Al原子摻雜形成Al-SiC固溶體,可以有效地提高SiC粉體的微波介電性能。