編號：NMJS05575
篇名：方波脈沖下納米氧化鋁摻雜對聚酰亞胺介電性能的影響
作者：吳廣寧[1] ;劉洋[1] ;羅楊[1] ;古圳[1] ;高國強[1]
關(guān)鍵詞：PI/Al2O3復(fù)合薄膜 電暈老化 介電頻譜 介電溫度譜 SEM分析 平均放電量
機構(gòu)： [1]西南交通大學(xué)電氣工程學(xué)院,成都610031
摘要： 為了研究方波條件下納米Al2O3對PI膜介電性能的影響,將粒徑為60 nm的Al2O3納米粒子作為無機填料添加到PI基體中,制作了摻雜量質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1%,2%,5%,7%,10%的PI薄膜。測量了PI/Al2O3薄膜耐電暈性能和介電溫度譜以及介電頻譜,并用SEM鏡觀察了放電前后PI/Al2O3薄膜微觀形貌。研究結(jié)果表明：Al2O3納米粒子的摻入提高了復(fù)合薄膜的耐電暈性能;PI/Al2O3復(fù)合薄膜的相對介電常數(shù)（εr）與介質(zhì)損耗正切（tanδ）值隨著Al2O3含量升高而升高,其tanδ值隨著頻率的增加先減小后增大,在200 Hz處有最小值。在同一頻率下,PI/Al2O3薄膜εr和tanδ表現(xiàn)出對溫度的依賴性,tanδ在70℃與170℃附近出現(xiàn)兩個峰值;且隨著Al2O3含量的增高,tanδ介電峰向高溫方向移動。PI基體中高分子鏈纏結(jié)在納米粒子周圍,納米粒子所引入的界面以及在聚合物中表現(xiàn)的＂釘扎效應(yīng)＂是影響PI/Al2O3復(fù)合薄膜介電性能的主要原因。
