編號：CPJS03904
篇名：微波化學(xué)氣相沉積制備AlOx薄膜及鈍化晶硅性能的研究
作者：張健[1] ;巴德純[1] ;張振厚[2]
關(guān)鍵詞：線性微波源 氧化鋁薄膜 少子壽命
機(jī)構(gòu)： [1]東北大學(xué)機(jī)械及自動化學(xué)院,沈陽110004; [2]中國科學(xué)院沈陽科學(xué)儀器股份有限公司,沈陽110179
摘要： 通過線性微波化學(xué)氣相沉積（LMW-PECVD）技術(shù)在P型單晶樣品上高生長速度下制備了高質(zhì)量的AlOx薄膜,采用場發(fā)射電子掃描顯微鏡、光學(xué)橢圓偏振儀器、有效少子壽命測量儀對實(shí)驗(yàn)樣品進(jìn)行了表征和分析.結(jié)果表明,AlOx薄膜的厚度和折射率都對晶硅的鈍化效果有影響,薄膜厚度在20～30 nm之間、折射率在1.6～1.65 之間出現(xiàn)了理想的鈍化效果;熱處理對AlOx薄膜鈍化效果的影響較為復(fù)雜,理想的熱處理溫度在350～400 ℃之間.
