編號：CPJS03840
篇名：增強型GaN MOSFET的制備及其絕緣柵的電荷特性研究
作者：周桂林[1] ;張金城[1] ;沈震[1] ;楊帆[1] ;姚堯[1] ;鐘健[1] ;鄭越[1] ;張佰君[1] ;敖
關(guān)鍵詞：氮化鎵 二氧化硅 場效應(yīng)管 等離子增強化學(xué)氣相沉積 陷阱 正向偏壓
機構(gòu)： [1]中山大學(xué)物理科學(xué)與工程技術(shù)學(xué)院、光電材料與技術(shù)國家重點實驗室,廣州510275; [2]德島大學(xué)科學(xué)技術(shù)學(xué)院,日本德島708502
摘要： 采用ICP干法刻蝕和PECVD沉積技術(shù),制備了增強型Si襯底SiO2/GaN MOS柵場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。SiO2/GaN MOSFET轉(zhuǎn)移特性曲線測試中出現(xiàn)閾值電壓不穩(wěn)定現(xiàn)象,針對其閾值電壓穩(wěn)定性問題,采用正向電壓偏置方法對SiO2/GaN MOSFET的絕緣柵電荷特性展開研究。正向電壓偏置后,器件的轉(zhuǎn)移特性曲線和高頻C-V特性曲線均正向偏移,研究表明：SiO2/GaN之間存在的界面態(tài)和靠近SiO2/GaN界面的SiO2內(nèi)部陷阱是造成SiO2/GaN MOSFET閾值電壓不穩(wěn)定的原因,實驗研究結(jié)果同時表明氮氣1 000℃快速熱退火（RTA）對SiO2內(nèi)部陷阱有改善作用。
