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        二氧化釩粉體的制備及其應(yīng)用研究

        編號:CPJS03656

        篇名:二氧化釩粉體的制備及其應(yīng)用研究

        作者:鐘誠 ;趙麗 ;王世敏 ;董兵海 ;呂楊 ;吳思齊

        關(guān)鍵詞:VO2 粉體 制備 應(yīng)用

        機構(gòu):

        摘要: 二氧化釩(VO2)在相變溫度68℃附近具有良好的半導體-金屬相變(MIT)特性,在相變的同時光學及電學等性能也隨之發(fā)生改變。本文簡要介紹了VO2光學和電學性能,綜述了現(xiàn)階段VO2粉體的制備方法及其應(yīng)用的研究進展。

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