編號(hào)：FTJS05690
篇名：射頻功率對(duì)F-DLC薄膜結(jié)構(gòu)及場(chǎng)發(fā)射性能的影響
作者：蔣愛(ài)華； 邵紅娟； 楊端翠； 肖劍榮；
關(guān)鍵詞：F-DLC薄膜； 射頻功率； 表面形貌； 鍵合結(jié)構(gòu)； 場(chǎng)發(fā)射性能；
機(jī)構(gòu)： 桂林理工大學(xué)理學(xué)院；
摘要： 采用射頻等離子體化學(xué)增強(qiáng)型氣相沉積法,以CF4和CH4為源氣體,氬氣為載氣,在不同射頻功率下制備了摻氟類金剛石(F-DLC)薄膜樣品。用原子力顯微鏡觀測(cè)了樣品的表面形貌,用X射線光電能譜儀及拉曼光譜儀等表征方法對(duì)樣品的鍵合結(jié)構(gòu)進(jìn)行了測(cè)試、分析。結(jié)果顯示:薄膜表面致密均勻,射頻功率增加,薄膜表面均方根粗糙度增大,膜內(nèi)sp2雜化結(jié)構(gòu)相對(duì)含量增加。樣品的場(chǎng)發(fā)射性能測(cè)試顯示:高射頻功率下制備的F-DLC薄膜樣品的場(chǎng)發(fā)射閾值低,場(chǎng)發(fā)射電流密度升高。其主要原因是:隨著射頻功率的增加,薄膜的表面粗糙度增大及薄膜的石墨化程度增加引起。
