編號：NMJS05457
篇名：石墨烯晶體管的加工及測試研究
作者：王永存； 薛晨陽； 劉耀英； 田學東； 張文棟； 李鐵；
關鍵詞：石墨烯； 晶體管； 氧等離子體刻蝕； 狄拉克點； 開關比； 柵調(diào)制；
機構(gòu)： 中北大學,儀器科學與動態(tài)測試教育部重點實驗室,電子測試技術(shù)重點實驗室； 中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所；
摘要： 石墨烯晶體管因其超高響應頻率和超小的體積成為新一代半導體基礎器件的發(fā)展趨勢。針對不同結(jié)構(gòu)的石墨烯晶體管在電學特性上存在差異,通過化學氣相沉積法(CVD)在銅箔上生長石墨烯薄膜,轉(zhuǎn)移石墨烯薄膜到Si/SiO2基底上,經(jīng)過光刻、等離子體刻蝕、電子束蒸發(fā)和ALD等工藝制備出頂柵結(jié)構(gòu)的石墨烯晶體管和背柵結(jié)構(gòu)的石墨烯晶體管,通過測試兩種結(jié)構(gòu)的石墨烯晶體管,比較了頂柵結(jié)構(gòu)的晶體管和背柵結(jié)構(gòu)的晶體管的柵調(diào)制效果和開關比。分析得到,頂柵結(jié)構(gòu)的石墨烯晶體管的柵調(diào)制效果和開關比好于背柵結(jié)構(gòu)的石墨烯晶體管。
