編號(hào)：NMJS05414
篇名：氧等離子體刻蝕對(duì)石墨烯性能的影響
作者：魏芹芹； 何建廷；
關(guān)鍵詞：石墨烯； 氧等離子體轟擊； 缺陷； 電學(xué)特性； 拉曼光譜；
機(jī)構(gòu)： 山東理工大學(xué)電氣與電子工程學(xué)院；
摘要： 對(duì)機(jī)械剝離在SiO2表面的多層石墨烯進(jìn)行氧等離子體刻蝕,通過(guò)拉曼光譜、原子力顯微鏡和電學(xué)性能表征來(lái)研究氧等離子體轟擊對(duì)石墨烯特性的影響。結(jié)果表明氧等離子體轟擊會(huì)在表層石墨烯中引入大量缺陷,大量缺陷的存在又會(huì)誘導(dǎo)對(duì)石墨烯的進(jìn)一步刻蝕,從而實(shí)現(xiàn)逐層刻蝕石墨烯。另外,氧等離子體轟擊的過(guò)程在做了金屬電極的石墨烯中引入金屬顆粒等其它物質(zhì),這幾方面的原因最終導(dǎo)致在氧等離子體刻蝕石墨烯的過(guò)程中石墨烯的兩端電導(dǎo)呈現(xiàn)近似線(xiàn)性的減小,石墨烯出現(xiàn)n型摻雜效應(yīng)。
