石墨烯納米帶p-i-n結構太赫茲探測器的設計

編號：NMJS05403

篇名：石墨烯納米帶p-i-n結構太赫茲探測器的設計

作者：王祖英； 溫中泉； 袁偉青； 高楊；

關鍵詞：石墨烯； 納米帶； 太赫茲； 探測器；

機構： 重慶大學新型微納器件與系統(tǒng)技術國防重點學科實驗室； 中國工程物理研究院電子工程研究所；

摘要： 研究了石墨烯納米帶橫向p-i-n結構探測器對太赫茲波的響應特性,基于載流子輸運方程和泊松方程,建立了考慮遷移、擴散、生成、復合等載流子運動的太赫茲探測器數(shù)學模型。根據(jù)該模型,對石墨烯納米帶橫向p-i-n結構的太赫茲波響應進行了仿真,獲得了反向柵壓誘導生成的p-i-n二極管的能帶圖;進而探討了納米帶寬度、i區(qū)長度及偏置電壓對響應電流的影響,分析表明石墨烯納米帶帶隙隨寬度增大而減小,響應頻率減小;i區(qū)長度與載流子壽命匹配時響應電流達到峰值;光電流隨偏置電壓的增大而增大,并趨于飽和。