編號：NMJS05350
篇名：一步電沉積制備石墨烯-氧化鋅納米墻復(fù)合物高靈敏檢測氯霉素
作者：羅世忠； 孔倩茜； 楊濤； 丁環(huán)；
關(guān)鍵詞：一步電沉積； 石墨烯； 氧化鋅； 納米墻； 氯霉素；
機(jī)構(gòu)： 青島科技大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院； 青島市華測檢測技術(shù)有限公司；
摘要： 采用一步電沉積技術(shù)同步實(shí)現(xiàn)了氧化石墨烯(RGNO)的還原和氧化鋅(ZnO)的電沉積,從而制得石墨烯-氧化鋅納米墻(GZNWs)。在形成過程中,氧化石墨烯中可充當(dāng)活性位點(diǎn)的含氧基團(tuán)起了關(guān)鍵作用。通過掃描電子顯微鏡和差分脈沖伏安法,對制得的電化學(xué)還原石墨烯-氧化鋅復(fù)合物(ERGNO-ZnO)的形貌及電化學(xué)性質(zhì)等進(jìn)行了表征。結(jié)果表明,由于具有增強(qiáng)的活性表面積,更精細(xì)的結(jié)構(gòu),超級電子轉(zhuǎn)移能力,具有獨(dú)特納米墻形貌的ERGNO-ZnO可望應(yīng)用于傳感領(lǐng)域,其規(guī)整排列的納米墻形貌和大的比表面積為氯霉素(CAP)在電極上的電子交換提供了有利條件。實(shí)現(xiàn)了對氯霉素的高靈敏檢測,檢測范圍1.0×10-7~1.0×10-3 mol·L-1,檢測限達(dá)到6.7×10-8 mol·L-1。
