編號：FTJS05565
篇名：稀土Dy摻雜對ZnO,CdO和SnO_2薄膜性能的影響
作者：韓菲； 李健；
關(guān)鍵詞：熱蒸發(fā)； CdO； ZnO； SnO2； 薄膜； 稀土Dy摻雜； 熱處理；
機(jī)構(gòu)： 燕京理工學(xué)院機(jī)電工程學(xué)院； 內(nèi)蒙古大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院；
摘要： 用熱蒸發(fā)法和熱處理制備稀土Dy摻雜金屬氧化物CdO,ZnO和SnO2薄膜,研究不同Dy摻雜濃度及熱處理對3種薄膜性能的影響。XRD和SEM測試結(jié)果顯示:適當(dāng)?shù)腄y摻雜和熱處理可改善薄膜的結(jié)構(gòu)特性,使薄膜表面的致密性變好。CdO,ZnO和SnO2薄膜的最佳摻Dy原子數(shù)分?jǐn)?shù)為5%,5%和3%。摻Dy后Cd O,ZnO和SnO2薄膜的導(dǎo)電類型均為n型,電阻值降低約一個數(shù)量級。Dy摻雜使得薄膜的致密性增加而導(dǎo)致光透過率降低。制備的薄膜都是直接帶隙半導(dǎo)體,相應(yīng)的光學(xué)帶隙:Cd O約2.232 eV,CdO∶Dy(Dy原子數(shù)分?jǐn)?shù)5%)的略增為2.241 e V,ZnO薄膜約為3.31 eV;ZnO∶Dy(Dy原子數(shù)分?jǐn)?shù)5%)約3.25 eV,SnO2薄膜約3.07 eV,SnO2∶Dy(Dy原子數(shù)分?jǐn)?shù)3%)約3.03 eV。
