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        退火溫度對(duì)Ti/IrO_2-CeO_2電極組織結(jié)構(gòu)與電容性能的影響

        編號(hào):FTJS05370

        篇名:退火溫度對(duì)Ti/IrO_2-CeO_2電極組織結(jié)構(gòu)與電容性能的影響

        作者:婁長影; 朱君秋; 邵艷群; 馬曉磊; 唐電;

        關(guān)鍵詞:晶化程度; 超級(jí)電容器; IrO2-CeO2; 退火; 稀土;

        機(jī)構(gòu): 福州大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院; 廈門理工學(xué)院材料科學(xué)與工程學(xué)院;

        摘要: 采用熱分解法制備了鈦基IrO2-CeO2二元氧化物涂層電極(Ti/IrO2-CeO2)。通過X射線熒光衍射(XRD),(SEM),循環(huán)伏安和交流阻抗等方法研究了退火溫度對(duì)Ti/IrO2-CeO2涂層電極組織結(jié)構(gòu)與電容性能的影響。結(jié)果表明,隨退火溫度升高,IrO2-CeO2涂層由非晶態(tài)向晶態(tài)轉(zhuǎn)變,晶化程度逐漸升高;在460~480℃高溫退火,IrO2-CeO2涂層中仍含有約28%的非晶態(tài)組織,說明CeO2有抑制IrO2晶化的作用。當(dāng)退火溫度為380℃時(shí),電極的晶化程度約為25%,比電容達(dá)到最大值,并具有良好的循環(huán)穩(wěn)定性。電極的電荷轉(zhuǎn)移電阻取決于電極的晶化程度,隨退火溫度升高呈階梯下降趨勢(shì)。

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