編號(hào)：CPJS03070
篇名：三元稀土硅化物Gd_2PdSi_3單晶生長(英文)
作者：徐義庫； Wolfgang L·SER； 郭亞杰； 趙新寶； 劉林；
關(guān)鍵詞：Gd2PdSi3； 懸浮區(qū)熔； 單晶生長； 稀土化合物； 沉淀；
機(jī)構(gòu)： 長安大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院； 德國萊布尼茲固態(tài)及材料科學(xué)研究所固態(tài)材料研究所； 西北工業(yè)大學(xué)凝固技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室；
摘要： 采用光懸浮區(qū)熔法以3 mm/h的生長速度制備Gd2PdSi3單晶。該化合物表現(xiàn)為同成分熔融,其熔點(diǎn)在1700°C左右。與Gd2PdSi3化學(xué)計(jì)量成分相比,制備的晶體中Pd含量略低,導(dǎo)致了熔區(qū)內(nèi)Pd的富集以及實(shí)驗(yàn)過程中熔區(qū)溫度的降低。采用標(biāo)準(zhǔn)成分給料棒制備的單晶內(nèi)含有少量定向的GdSi沉淀,可以通過退火熱處理減少其含量但并不能完全消除。采用給料棒成分微調(diào)的方法制備出不含GdSi沉淀的高質(zhì)量Gd2PdSi3單晶。
