編號(hào)：CPJS02943
篇名：YbyCo4Sb12/Yb2O3熱電復(fù)合材料的高溫穩(wěn)定性研究
作者：丁娟； 劉睿恒； 顧輝； 陳立東；
關(guān)鍵詞：熱電轉(zhuǎn)換； 方鈷礦； 納米復(fù)合； 結(jié)構(gòu)演化；
機(jī)構(gòu)： 中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所中國(guó)科學(xué)院能量轉(zhuǎn)換材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室； 中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所高性能陶瓷和超微結(jié)構(gòu)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室；
摘要： 采用高溫熔融/熱處理并結(jié)合SPS燒結(jié)工藝制備了Yb名義組分為0.6的Yby Co4Sb12/Yb2O3填充方鈷礦復(fù)合材料,納米或亞微米Yb2O3顆粒主要分散在方鈷礦晶界上。研究了873 K下低氧分壓高溫處理對(duì)樣品的熱電性能與微結(jié)構(gòu)的影響。熱處理后樣品的電導(dǎo)率、賽貝克系數(shù)、熱導(dǎo)率基本保持不變,塊體材料內(nèi)部納米與亞微米尺度微觀結(jié)構(gòu)未發(fā)生明顯變化,未發(fā)現(xiàn)填充方鈷礦結(jié)構(gòu)中的Yb元素的"大量逸出"與氧化,材料的高溫ZT值保持在1.2左右。TEM觀察發(fā)現(xiàn)Yby Co4Sb12填充方鈷礦晶粒內(nèi)存在大量的位錯(cuò),由位錯(cuò)產(chǎn)生的內(nèi)應(yīng)力有可能對(duì)Yb離子從晶格孔洞的逸出以及Yb離子和O離子的擴(kuò)散產(chǎn)生阻礙作用,從而抑制了在高溫低氧分壓下Yby Co4Sb12的內(nèi)氧化,使得高Yb含量的Yby Co4Sb12/Yb2O3復(fù)合材料的高溫穩(wěn)定性比低Yb含量填充方鈷礦材料更佳。
