編號：NMJS05280
篇名：高壓PLD法生長p型鈉摻雜氧化鋅納米線陣列
作者：邱智文； 楊曉朋； 韓軍； 曾雪松； 李新化； 曹丙強(qiáng)；
關(guān)鍵詞：鈉摻雜； 氧化鋅納米線； 高壓脈沖激光沉積(HP-PLD)；
機(jī)構(gòu)： 濟(jì)南大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,山東省高校無機(jī)功能材料重點實驗室； 中國科學(xué)院固體物理研究所,中國科學(xué)院材料物理重點實驗室；
摘要： 采用高壓脈沖激光沉積法(HP-PLD)研究了壓強(qiáng)、金催化層厚度對鈉摻雜氧化鋅納米線(ZnO:Na)生長的影響,并制備了ZnO:Al薄膜/ZnO:Na納米線陣列同質(zhì)pn結(jié)器件。實驗發(fā)現(xiàn),當(dāng)金膜厚度為4.2 nm,生長壓強(qiáng)為3.33×104 Pa,生長溫度為875℃時,可在單晶Si襯底上生長c軸取向性良好的ZnO納米線陣列。X射線衍射和X射線光電子能譜綜合分析證實了Na元素成功摻入ZnO納米線晶格中。在低溫(15 K)光致發(fā)光譜中,觀測到了一系列由Na摻雜ZnO產(chǎn)生引起的受主光譜指紋特征,如中性受主束縛激子峰(3.356 eV,A0X)、導(dǎo)帶電子到受主峰(3.312 eV,(e,A0))和施主受主對發(fā)光峰(3.233 eV,DAP)等。通過在ZnO:Al薄膜上生長ZnO:Na納米線陣列形成同質(zhì)結(jié),測得I-V曲線具有明顯的整流特性,證實了ZnO:Na納米線具有良好的p型導(dǎo)電性能。
