編號(hào)：NMJS05267
篇名：ZnO/In_2O_3納米異質(zhì)結(jié)的合成及其光催化性能的研究
作者：何霞； 劉海瑞； 董海亮； 梁建； 張華； 許并社
關(guān)鍵詞：ZnO； ZnO/In2O3； 羅丹明B； 光催化效率；
機(jī)構(gòu)： 太原理工大學(xué)新材料界面科學(xué)與工程教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室； 太原理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院；
摘要： 通過熱水解法成功制備出了形貌均一的ZnO/In2O3異質(zhì)結(jié)光催化材料,采用場發(fā)射掃描電子顯微鏡(FESEM)、X射線衍射儀(XRD)以及透射電子顯微鏡(TEM)對(duì)樣品的形貌及結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征。結(jié)果表明:ZnO/In2O3異質(zhì)結(jié)是由直徑約200~300 nm、厚度約40~60 nm的六邊形納米片鑲嵌著In2O3納米小顆粒組成。對(duì)比純ZnO、純In2O3和該光催化材料對(duì)羅丹明B(RhB)的可見光降解效率,發(fā)現(xiàn)ZnO/In2O3異質(zhì)結(jié)光催化材料對(duì)RhB具有較高的光催化效率,其原因是窄帶系半導(dǎo)體In2O3能夠有效地吸收可見光,當(dāng)ZnO與In2O3形成異質(zhì)結(jié)時(shí),In2O3能帶上被可見光激發(fā)的電子會(huì)遷移到ZnO的導(dǎo)帶上,而光激發(fā)的空穴仍保留在In2O3價(jià)帶,這樣有助于光生電子和空穴的分離,降低其復(fù)合幾率,從而有效地提高了ZnO的光催化效率。
