編號：NMJS05245
篇名：聚焦電子束輻照誘導單晶Si納米線的選擇性非晶化和新型同軸結(jié)構(gòu)的形成
作者：李鋒； 蘇江濱； 李論雄；
關(guān)鍵詞：Si納米線； 選擇性非晶化； 同軸結(jié)構(gòu)； 能量束非熱激活效應(yīng)； 納米曲率效應(yīng)；
機構(gòu)： 廈門大學材料科學與工程系； 廈門大學中國-澳大利亞功能納米材料聯(lián)合實驗室； 常州大學數(shù)理學院； 廈門大學化學系； 華南師范大學實驗中心；
摘要： 使用改進的原位透射電鏡觀察技術(shù)研究了室溫下單晶Si納米線在聚焦電子束輻照下的結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定性。實驗發(fā)現(xiàn)輻照區(qū)域內(nèi)單晶Si納米線外層會優(yōu)先非晶化且局部徑向膨脹,并隨輻照劑量增加進一步形成新型3層包裹同軸結(jié)構(gòu)等一系列有趣的變化。傳統(tǒng)knock-on機制和電子束熱效應(yīng)并不能完全解釋上述實驗現(xiàn)象,然而利用最近提出的納米曲率效應(yīng)和電子束非熱激活效應(yīng)則能得到較好的解釋。
