編號(hào)：NMJS05220
篇名：模板法制備CdSe納米線(xiàn)及其光學(xué)性質(zhì)的研究
作者：曾云； 蘇軼坤； 吳喜明； 湯皎寧；
關(guān)鍵詞：電沉積； 半導(dǎo)體； CdSe納米線(xiàn)；
機(jī)構(gòu)： 深圳大學(xué)深圳市特種功能材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室；
摘要： 利用恒電位沉積方法,在陽(yáng)極氧化鋁(AAO)模板里沉積了CdSe納米線(xiàn)。對(duì)其進(jìn)行了結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)的表征,并且用循環(huán)伏安法討論了其沉積機(jī)理。結(jié)果表明:室溫下,0.1 mol·L-1CdSO4+0.25 mol·L-1H2SO4+50 mmol·L-1 SeO2配比的溶液,0.4 V恒電位沉積,在AAO模板中制備出了CdSe納米線(xiàn)。EDS的結(jié)果表明Cd和Se的化學(xué)計(jì)量比接近于1:1;通過(guò)XRD確定了所沉積的CdSe為面心立方結(jié)構(gòu),其擇優(yōu)取向?yàn)?111)晶面。紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)吸收光譜表明其吸收范圍在400~700 nm,吸收最大處在500 nm,PL發(fā)射譜表明CdSe納米線(xiàn)的發(fā)光峰在400 nm左右。
