編號：NMJS05191
篇名：納米SnO_2/SiO_2復合材料的制備及其對H_2氣敏性研究
作者：司莉粉； 詹自力； 李廣偉；
關鍵詞：納米材料； SnO2； SiO2； 氣敏性能；
機構(gòu)： 鄭州大學化工與能源學院；
摘要： 采用錫粒氧化法合成納米二氧化錫(SnO2),并以KH-550為改性劑,對納米二氧化錫進行表面化學修飾,制得SnO2/SiO2復合材料,研究了不同條件下制得的SnO2/SiO2復合材料對H2的氣敏性能。實驗結(jié)果表明較佳的SnO2/SiO2復合材料制備工藝條件為:室溫條件下,改性劑與納米二氧化錫質(zhì)量百分比為9%,在甲苯溶劑中反應3h。制備的SnO2/SiO2復合材料對1000ppm H2的氣體靈敏度為37.506。
