編號：NMJS05185
篇名：SiC/SiO_2復(fù)合材料的制備及介電性能研究
作者：劉海濤； 鄭治祥； 王蘇敏； 祖立成； 呂珺； 徐光青；
關(guān)鍵詞：復(fù)合材料； SiC/SiO2； 包覆； 介電常數(shù)； 介電損耗；
機構(gòu)： 合肥工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院；
摘要： 文章采用介電常數(shù)低的納米SiO2粉體與SiC微粉通過機械球磨的方式進行混合,制得SiO2包覆SiC的復(fù)合粉體,經(jīng)干壓成型,在流動的高純氬氣保護下,常壓燒結(jié)出結(jié)構(gòu)均勻、介電性能良好的SiC/SiO2復(fù)合材料。通過EDS、XRD、SEM等手段進行表征,分析了原料配比、燒結(jié)溫度、密度及顯微結(jié)構(gòu)等對材料介電性能的影響。結(jié)果表明:燒結(jié)溫度低于1 000℃時,隨著溫度升高,材料的燒結(jié)密度降低,介電常數(shù)降低;溫度高于1 000℃時,材料的密度和介電常數(shù)隨溫度升高而增加,介電損耗則隨溫度升高一直呈遞減趨勢;當(dāng)燒結(jié)溫度為1 100℃時,SiC與SiO2質(zhì)量比為2∶1的試樣獲得了燒結(jié)密度為1.77g/cm3、介電常數(shù)為5.40和介電損耗為0.055的較好性能。
