編號：FTJS05124
篇名：直流輝光放電質(zhì)譜法測定高純氧化鑭中25種雜質(zhì)元素
作者：胡芳菲； 王長華； 李繼東；
關(guān)鍵詞：直流輝光放電質(zhì)譜法； 高純氧化鑭； 雜質(zhì)元素；
機構(gòu)： 北京有色金屬研究總院；
摘要： 利用銅粉作為導電介質(zhì),與氧化鑭粉末混合均勻,壓片,采用直流輝光放電質(zhì)譜法(dcGDMS)測定了高純氧化鑭粉末中的部分雜質(zhì)元素含量�？疾炝溯x光放電條件,如放電電流、放電氣體流量、離子源溫度以及壓片條件,如兩種粉末的混合比例、壓片機壓力等因素對放電穩(wěn)定性以及靈敏度的影響,優(yōu)化了實驗條件;嘗試了將鑭,氧和銅的總信號歸一化進行計算的方法,用差減法計算了高純氧化鑭粉末中的雜質(zhì)元素含量。將銅粉作為試劑空白,連續(xù)測定11次,統(tǒng)計各待測元素檢出限為0.005~0.34μg/g;對高純氧化鑭粉末樣品獨立測定6次,測定結(jié)果與電感耦合等離子體質(zhì)譜法基本吻合,相對標準偏差在20%以內(nèi)。
