編號(hào)：NMJS05142
篇名：Au誘導(dǎo)形成有序Si納米孔陣列及其應(yīng)用
作者：王海澎； 柯少穎； 楊杰； 王茺； 楊宇；
關(guān)鍵詞：Au誘導(dǎo)； 聚苯乙烯小球； Si納米孔； Ge/Si納米陣列；
機(jī)構(gòu)： 云南大學(xué)光電信息材料研究所；
摘要： 以自組裝聚苯乙烯小球(PS)單層膜為掩膜,利用Au對Si表面的催化氧化作用以及KOH溶液對單晶Si的各向異性腐蝕特性,在Si(100)面上制備了一系列尺寸小于100 nm有序可控的Si納米孔陣列.掃描電鏡(SEM)和原子力顯微鏡(AFM)等的測試結(jié)果顯示:當(dāng)PS小球溶液與甲醇溶液的體積比為9:11時(shí),可形成大面積無缺陷的單層膜;但當(dāng)體積比過大時(shí),會(huì)導(dǎo)致類似雙層膜結(jié)構(gòu)的形成;而當(dāng)體積比過小時(shí),會(huì)誘導(dǎo)形成點(diǎn)缺陷和線缺陷.對PS小球及濺射Au處理過的Si晶片進(jìn)行KOH溶液腐蝕,隨著腐蝕時(shí)間變長,納米孔的橫向尺寸和深度增大,其形貌由圓形逐漸變?yōu)榈菇鹱炙?當(dāng)腐蝕時(shí)間超過10 min,納米孔陣列的有序性遭到破壞.采用離子束濺射技術(shù)在倒金字塔型納米孔襯底上獲得了有序Ge/Si納米島,而在圓形納米孔襯底上獲得了有序Ge/Si納米環(huán).進(jìn)一步對有序Ge/Si納米島及納米環(huán)的形成機(jī)理進(jìn)行了解釋.
