編號(hào)：NMJS05124
篇名：電子束輻照對(duì)多壁碳納米管的影響（英文）
作者：李斌； 鳳儀； 丁克望； 錢(qián)剛； 張學(xué)斌； 劉衍芳；
關(guān)鍵詞：多壁碳納米管； 電子束輻照； 形貌； 損傷機(jī)理；
機(jī)構(gòu)： 合肥工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院；
摘要： 在室溫下采用透射電子顯微鏡中匯聚的電子束輻照多壁碳納米管。結(jié)果表明,在能量為100 keV的電子束輻照下除了碳納米管管壁有一些彎曲外沒(méi)有其他結(jié)構(gòu)被破壞;當(dāng)電子能量增加到200 keV時(shí),納米管有明顯的損傷,可以觀察到納米管的無(wú)定型化、納米管外壁的凹坑和缺口。200 keV的電子束輻照還能形成碳洋蔥和2根多壁納米管的焊接。多壁碳納米管的離位閥能為83~110 keV。能量超過(guò)閥能的電子束可以很輕易地?fù)p傷納米管而低于閥能的電子束則很難損壞納米管,其損傷機(jī)理為濺射和原子離位。
