編號：CPJS02837
篇名：多晶Lu2SiO5∶Ce發(fā)光粉體中Ce價態(tài)的XANES表征及其VUV光譜特性
作者：范靈聰； 張瑜瑜； 張園； 施鷹； 謝建軍； 雷芳；
關鍵詞：LSO∶Ce； 化合價； X-射線吸收近邊結構； VUV光譜；
機構： 上海大學材料科學與工程學院；
摘要： 采用X射線吸收近邊結構(XANES)譜對多晶Lu2SiO5∶Ce(LSO∶Ce)發(fā)光粉體中Ce元素的化合價狀態(tài)進行了表征,結果表明:在空氣下煅燒后得到的不同Ce摻雜濃度的LSO∶Ce粉體中,Ce3+在總摻雜Ce中的含量僅為18%~39%;而經1 000℃/2 h的氫氣氣氛下退火后,LSO∶0.5%Ce粉體中Ce3+的相對含量由39%大幅提高到83%。真空紫外(VUV)激發(fā)發(fā)射光譜表明:當Ce的摻雜摩爾分數為0.25%~1%時,Ce3+的摩爾分數與LSO∶Ce粉體的發(fā)光強度具有很好的關聯性。氫氣退火處理可以使LSO∶Ce粉體的發(fā)光強度提高近40%。LSO∶Ce粉體在變溫條件(50~250 K)下的發(fā)射強度表現出良好的穩(wěn)定性,未觀察到熱猝滅現象發(fā)生。
